Samsung создала первый в мире тестовый образец чипа флеш-памяти рекордной плотности, где умудрилась уместить сразу 900 слоев ячеек.
Инженеры применили новую технологию соединения элементов и фактически закрепили два блока по 450 слоев на одной микросхеме. Такая сложная структура резко увеличит емкость будущих накопителей и снизит их аппетиты к энергии, что сейчас необходимо для работы тяжелых систем искусственного интеллекта.
Пойти на этот рекорд компанию заставила жесткая гонка технологий. В серийном производстве многослойной памяти сейчас лидируют конкуренты из SK hynix, да и китайская YMTC вовсю наступает на пятки. Своей новой разработкой корейский гигант пытается вернуть себе безоговорочное преимущество на рынке.
