Samsung удалось создать первый рабочий образец оперативной памяти, размер элементов которой меньше 10 нанометров. Для индустрии это большой шаг, потому что обычно чипы памяти по технологиям отстают от процессоров. Новый техпроцесс назвали 10a, и он позволяет втиснуть на ту же площадь почти в полтора раза больше ячеек.
Чтобы все это работало и не «текло», инженерам пришлось полностью пересмотреть конструкцию. Теперь транзисторы стоят вертикально, а в их составе используют экзотическое соединение индия, галлия и цинка вместо привычного кремния. Массовое производство таких чипов обещают запустить к 2028 году. Пока Samsung идет по этому пути осторожно, конкуренты вроде Micron хотят перепрыгнуть через этап и сразу заняться полноценной 3D DRAM. 💾
