Похоже, вечная нехватка оперативки скоро закончится. Американский стартап NEO Semiconductor смог впервые воплотить в кремнии прототип памяти 3D X-DRAM. Это тот самый долгожданный момент, когда ОЗУ начинает расти вверх слоями, как это уже давно делает память в обычных SSD-накопителях.
Главный козырь технологии — невероятная плотность данных и скорость. Разработчики обещают, что на одном кристалле можно будет разместить 512 Гбит памяти, а передавать данные она будет в 16 раз быстрее, чем нынешний эталон в лице HBM. При этом прототип уже показал отличную живучесть и скорость отклика менее 10 наносекунд.
Проект поддержали легенды индустрии, включая основателя Acer, а первые образцы уже тестируют в тайваньских лабораториях. Если всё пойдет по плану, нам не придется ждать середины века, чтобы увидеть по-настоящему бездонную и сверхбыструю оперативную память в обычных домашних компьютерах.
